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DM10474AJ

更新时间: 2024-11-21 19:52:43
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美国国家半导体 - NSC 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 171K
描述
IC,SRAM,1KX4,BICMOS-ECL10,DIP,24PIN,CERAMIC

DM10474AJ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最长访问时间:15 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T24JESD-609代码:e0
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4负电源额定电压:-5.2 V
端子数量:24字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX4输出特性:OPEN-EMITTER
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:-5.2 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大压摆率:0.22 mA
表面贴装:NO温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

DM10474AJ 数据手册

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