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DLPT05-13 PDF预览

DLPT05-13

更新时间： 2024-11-30 19:46:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 104K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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DLPT05-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.66最小击穿电压：6 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值反向功率耗散：300 W
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

DLPT05-13 数据手册

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DLPT05  
SURFACE MOUNT DATALINE PROTECTION  
DEVICE  
Features  
·
·
300 Watts Peak Pulse Power (tp = 8x20ms)  
SOT-23  
Transient Protection for data line to IEC61000-4-2 level 4  
(ESD), 8kV HBM, and IEC 61000-4-4 (EFT)  
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
A
·
·
Low Leakage Current  
C
B
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic  
Insertion  
C
B
C
·
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version  
(Note 4)  
D
TOP VIEW  
B
E
E
D
G
E
G
H
H
Mechanical Data  
K
M
J
·
·
Case: SOT-23  
J
L
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
GROUND  
L
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
M
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
a
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering  
Information, Note 8, on Page 3  
TVS  
All Dimensions in mm  
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Part Marking (See Page 3): A01  
VCC  
LINE TO  
BE PROTECTED  
Ordering & Date Code Information: Page 3  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, Total Device  
Characteristic  
Peak Pulse Power (tp = 8x20ms)  
Symbol  
PPK  
Value  
300  
Unit  
W
VFP  
Peak Forward Voltage (IPP = 1A, tp = 8x20ms)  
Diode Peak Repetitive Reverse Voltage  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
2.1  
V
VRRM  
RqJA  
75  
V
417  
°C/W  
°C  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics, TVS Element  
Max. Clamping  
Voltage @ Ipp = 1A  
(Note 3)  
Reverse  
Standoff  
Voltage  
Typical Total  
Capacitance  
(Note 1)  
Breakdown Voltage  
BR @ IT  
Max. Reverse  
Leakage @ VRWM  
Test  
Current  
Max. Peak Pulse  
Current (Note 2)  
V
VRWM (V)  
IT (mA)  
VC (V)  
(A)  
(pF)  
IR (mA)  
Min (V) Max (V)  
5
6
¾
1.0  
20  
9.8  
17  
1.9  
Notes: 1.  
V = 0V, f = 1MH from line to be protected to ground pin.  
R Z  
2. tp = 8x20ms.  
3. Clamping voltage values are based on an 8x20ms peak pulse current (I ) waveform.  
pp  
4. No purposefully added lead.  
DS30310 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
DLPT05  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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