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DL4002-T

更新时间: 2024-11-29 13:07:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 82K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),

DL4002-T 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
最大重复峰值反向电压:100 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

DL4002-T 数据手册

 浏览型号DL4002-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DL4002-T的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
DL4001  
THRU  
DL4007  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
·
·
·
Glass Passivated Junction  
Low Current Leakage  
1 Amp Glass  
Passivated Rectifier  
50 to 1000 Volts  
Metalurgically Bonded Construction  
Surface Mount Applications  
Maximum Ratings  
MELF  
·
·
·
Operating Temperature: -65°C to +150°C  
Storage Temperature: -65°C to +150°C  
Maximum Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead  
Cathode Mark  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
Maximum  
MCC  
Device  
Maximum  
RMS  
Voltage  
DC  
Blocking  
Voltage  
Part Number Marking  
C
DL4001  
DL4002  
DL4003  
DL4004  
DL4005  
DL4006  
DL4007  
-------  
-------  
-------  
-------  
-------  
-------  
-------  
35V  
70V  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
B
A
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
800V  
1000V  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.185  
.018  
.095  
MM  
MIN  
4.70  
0.46  
2.40  
DIM  
A
B
MAX  
.205  
.022  
.105  
MAX  
5.20  
0.56  
2.67  
NOTE  
Nominal  
Æ
C
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
Peak Forward Surge  
Current  
IF(AV)  
1.0A  
TA = 75°C  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
IFSM  
30A  
8.3ms, half sine  
Maximum  
.220”  
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
VF  
IR  
1.1V  
IFM = 1.0A;  
TJ = 25°C*  
.115”  
5.0mA  
50mA  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
.035”  
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
12pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%  
www.mccsemi.com  

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