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DGW40N65CTL0

更新时间： 2024-04-09 19:02:08

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DGW40N65CTL0 数据手册

RoHS

DGW40N65CTL0

COMPLIANT

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

T_j

-40...+175

°C

T_s

-55...+150

260

°C

Soldering Temperature, wave soldering 1.6mm

(0.063in.) from case for 10s

Electrical Characteristics of the IGBT（T_j= 25℃unless otherwise specified）：

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Static

Collector-Emitter

650

4.3

BV_CES

V_GE(th)

V_GE=0V, I_C=250μA

Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

V_GE=V_CE, I_C=0.75mA

5.3

6.3

V_GE=15V, I_C=40A

T_j=25°C,

T_j=125°C

Collector-Emitter

Saturation Voltage

1.55

1.75

1.85

1.95

V_CE(sat)

T_j=150°C

V_CE=650V, V_GE=0V

T_j= 25°C,

T_j=150°C

Zero Gate Voltage

Collector Current

I_CES

0.25

4.00

Gate-Emitter

Leakage Current

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

100

Parameter

Dynamic

Symbol

C_ies

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Input Capacitance

2.18

0.03

0.20

V_CE= 25V, V_GE= 0V,

f = 1MHz

Reverse Transfer

Capacitance

C_res

Q_G

V_CC=300V,I_C=40A,

V_GE=15V

Gate Charge

S-M378D

www.21yangjie.com

Rev.1.0, 1-Mar-23

123 4 5 6 7...10

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