Datasheet > DFE201210U-R24M

DFE201210U-R24M

更新时间： 2024-11-19 00:47:47

品牌	Logo	应用领域
TOKO		/
页数	文件大小	规格书
1页	210K
描述
The use of Flat wire for Low DC resistance

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DFE201210U-R24M 数据手册

Metal Alloy Inductors

メタルアロイ^®インダクタ

DFE201210U

Inductance Range: 0.24~2.2H

Recommended patterns

推奨パターン図

(Unit: mm)

FEATURES 特長

 Miniature size: 2012 footprint (2.0mm×1.2mm) and low

profile(1.0mm Max. height)

 The use of magnetic iron powder ensure capability for

large current.

 小型薄型構造 (2.0ｘ1.2ｍｍ角、高さ1.0mm Max.)

 磁性材に鉄系磁性粉を用いた大電流対応

 平角線採用による低直流抵抗

 閉磁路構造、低コア鳴きノイズ

 The use of Flat wire for Low DC resistance.

 Magnetically shielded, low audible core noise.

 Reflow solderable.

 リフロはんだ対応

 動作温度範囲：-40～+125°C

 Operating temperature : -40～+125°C

STANDARD PART NUMBERS 標準品一覧

TYPE DFE201210U (Quantity/reel; 3,000 PCS)

品番

インダクタンス⁽¹⁾

許容差

測定周波数

直流抵抗⁽²⁾

直流重畳許容電流⁽³⁾温度上昇許容電流⁽⁴⁾

Inductance

Temperature

Decrease Current⁽³⁾

Rise Current⁽⁴⁾

Test

Frequency

(MHz)

Inductance⁽¹⁾

Part

Number

Tolerance

(%)

Resistance⁽²⁾

(m) Max. (Typ.)

(A) Max. (Typ.)

(H)

T=40C

(A) Max. (Typ.)

L

=30%

DFE201210U-R24M=P2

DFE201210U-R33M=P2

DFE201210U-R47M=P2

DFE201210U-R68M=P2

DFE201210U-1R0M=P2

DFE201210U-1R5M=P2

DFE201210U-2R2M=P2

0.24

0.33

0.47

0.68

1.0

20

25 (20)

31 (25)

42 (34)

60 (50)

95 (79)

6.5 (7.2)

5.2 (5.8)

4.4 (4.8)

3.6 (4.0)

3.1 (3.4)

2.5 (2.8)

2.0 (2.2)

3.8 (4.5)

3.4 (4.0)

3.0 (3.5)

2.4 (2.8)

2.0 (2.4)

1.6 (1.9)

1.2 (1.4)

1.5

2.2

138 (115)

228 (190)

(1)Inductance is measured with a LCR meter 4284A (Agilent

Technologies) or equivalent. Test frequency at 1MHz

(2)DC resistance is measured with 34420A (Agilent Technologies) or

3541(HIOKI). (Reference ambient temperature 20°C)

(3)Inductance Decrease Current based upon 30% inductance

reduction from the initial value

(1)インダクタンスはLCRメータ4284A (Agilent Technologies) また

は同等品により測定する。測定周波数は1MHz。

(2)直流抵抗は測定器34420A（Agilent Technologies）または3541

（HIOKI）と同等品により測定する。（周囲温度20°C）

(3)直流重畳許容電流：直流重畳電流を流した時インダクタンスの値

が初期値より30%減少する直流電流値

(4)Temperature Rise Current based upon 40°C temperature rise.

(Reference ambient temperature 20°C)

(4)温度上昇許容電流：コイルの温度が40°C上昇する値

（周囲温度20°Cを基準とする。）

中文翻译

下载PDF

与DFE201210U-R24M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DFE201210U-R24M#	MURATA	获取价格
DFE201210U-R24M_18	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30%
DFE201210U-R33M	TOKO	获取价格	The use of Flat wire for Low DC resistance
DFE201210U-R33M	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30%
DFE201210U-R33M#	MURATA	获取价格
DFE201210U-R33M_18	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30%
DFE201210U-R47M	TOKO	获取价格	The use of Flat wire for Low DC resistance
DFE201210U-R47M	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30%
DFE201210U-R47M#	MURATA	获取价格
DFE201210U-R47M_18	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30%

与DFE201210U-R24M相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DFE201210U-R24M

DFE201210U-R24M 数据手册

与DFE201210U-R24M相关器件

与DFE201210U-R24M相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DFE201210U-R24M

DFE201210U-R24M 数据手册

与DFE201210U-R24M相关器件

与DFE201210U-R24M相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？