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DE150-101N09A

更新时间： 2024-10-05 06:52:55

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RF Power MOSFET

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DE150-101N09A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
Base Number Matches：	1

DE150-101N09A 数据手册

DE150-101N09A

RFꢀPowerꢀMOSFETꢀ

NꢁChannelꢀEnhancementꢀModeꢀ

LowꢀQ_gꢀandꢀR_gꢀ

Highꢀdv/dtꢀ

V_DSS

ꢀ

=ꢀ 100ꢀVꢀ

NanosecondꢀSwitchingꢀ

IdealꢀforꢀClassꢀC,ꢀD,ꢀ&ꢀEꢀApplicationsꢀ

I_D25ꢀ

=ꢀ

9.0ꢀAꢀ

R_DS(on)ꢀ≤ꢀ

0.16ꢀꢀꢀ

Symbolꢀ

V_DSS

V_DGR

V_GS

V_GSM

I_D25

_DMꢀ

I_AR

TestꢀConditionsꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀR_GSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀꢀ

Continuousꢀ

MaximumꢀRatingsꢀꢀ

P_DCꢀ

=ꢀ 200ꢀWꢀ

ꢀ

100ꢀ

Vꢀ

ꢀ

±20ꢀ

±30ꢀ

9.0ꢀ

54ꢀ

Vꢀ

Transientꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

Aꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀT_JMꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

Aꢀ

ꢀ

14ꢀ

Aꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

E_AR

ꢀ

7.5ꢀ

mJꢀ

I_Sꢀ≤ꢁI_DM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁꢀ100A/ꢂs,ꢀV_DDꢀ≤ꢀV_DSS,ꢀꢀ

T_jꢀ≤ꢀ150°C,ꢀR_Gꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀꢀ

5.5ꢀ V/nsꢀ

dv/dtꢀꢀ

I_Sꢀ=ꢀ0ꢀ

>200ꢀ V/nsꢀ

DRAIN

ꢀ

P_DC

ꢀ

200ꢀ

80ꢀ

Wꢀ

GATE

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀ

Derateꢀ4.4W/°Cꢀaboveꢀ25°Cꢀ

P_DHS

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

P_DAMB

ꢀ

3.5ꢀ

Wꢀ

SG1 SG2

SD1

SD2

ꢀ

R_thJC

ꢀ

0.74ꢀ C/Wꢀ

1.50ꢀ C/Wꢀ

R_thJHS

ꢀ

Featuresꢀ

•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ

Symbolꢀ

TestꢀConditions

CharacteristicꢀValues

−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ

−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecifiedꢀꢀꢀ

ꢀ

min.ꢀ

100ꢀ

typ.ꢀ

max.ꢀ ꢀ

−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ3ꢀmaꢀ

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

ꢀ

Vꢀ

cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ

V_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀI_Dꢀ=ꢀ4ꢀmaꢀ

ꢀ

2ꢀ

2.8ꢀ

•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀlowꢀQ_gꢀprocessꢀ

•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ

−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ

V_GSꢀ=ꢀ±20ꢀV_DC,ꢀV_DSꢀ=ꢀ0ꢀ

ꢀ

±100ꢀ

nAꢀ

V_DSꢀ=ꢀ0.8ꢀV_DSSꢀT_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=ꢀ125°Cꢀꢀ

ꢀ

25ꢀ

250ꢀ

−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ

ꢂAꢀ

•ꢁ LowꢀR_DS(on)

ꢀ

•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ

V_GSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25

Pulseꢀtest,ꢀtꢀ≤ꢀ300ꢂS,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀ≤ꢀ2%ꢀꢀ

ꢀ

R_DS(on)

ꢀ

0.16ꢀ

ꢀꢀ

•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀ

hazardousꢀmaterialsꢀꢀ

ꢀ

V_DSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25,ꢀpulseꢀtestꢀ

g_fsꢀ

T_Jꢀ

2.5ꢀ

3.0ꢀ

ꢀ

Sꢀ

Advantagesꢀ

ꢀ

ꢁ55ꢀ

+175ꢀ

°Cꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀ

°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

gꢀ

•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ

switchingꢀatꢀfrequenciesꢀtoꢀ>100MHzꢀ

ꢀ

_JMꢀꢀ

ꢀ

175ꢀ

ꢀ

•ꢁ Easyꢀtoꢀmount—noꢀinsulatorsꢀneededꢀ

•ꢁ Highꢀpowerꢀdensityꢀ

ꢀ

T_stg

ꢀ

ꢁ55ꢀ

+175ꢀ

ꢀ

1.6mm(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀsꢀ

ꢀ

T_Lꢀ

ꢀ

300ꢀ

2ꢀ

ꢀ

Weightꢀ

12 3 4 5

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与DE150-101N09A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DE150-102N02-00	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1KV V(BR)DSS \| 2A I(D)
DE150-102N02A	IXYS	获取价格	RF Power MOSFET
DE150-201N09-00	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 200V V(BR)DSS \| 9A I(D)
DE150-201N09A	IXYS	获取价格	RF Power MOSFET
DE150-501N04-00	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 500V V(BR)DSS \| 4.5A I(D)
DE150-501N04A	IXYS	获取价格	RF Power MOSFET
DE1507B682K1K	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 1000V, B, 0.0068uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DE1507R152K3K	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, 3150V, R, 0.0015uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DE15S600T	AMPHENOL	获取价格	D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Female, Wire Wrap Terminal
DE1607-477F103M-KH	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, Y5V, 0.01uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED

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