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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DE150-102N02A | IXYS |
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RF Power MOSFET |
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| DE150-201N09-00 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) |
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| DE150-201N09A | IXYS |
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RF Power MOSFET |
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| DE150-501N04-00 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) |
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| DE150-501N04A | IXYS |
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RF Power MOSFET |
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| DE1507B682K1K | MURATA |
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CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 1000V, B, 0.0068uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED |
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| DE1507R152K3K | MURATA |
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CAPACITOR, CERAMIC, 3150V, R, 0.0015uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED |
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| DE15S600T | AMPHENOL |
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D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Female, Wire Wrap Terminal |
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| DE1607-477F103M-KH | MURATA |
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CAPACITOR, CERAMIC, Y5V, 0.01uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED |
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| DE16CB100 | ETC |
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Tapped Delay Line |
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三大厂商12层HBM3E进展迅速
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
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