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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DDTA115EE-7-F
DDTA115EE-7-F PDF预览

DDTA115EE-7-F

更新时间： 2024-02-07 03:35:55
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 79K
描述
PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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DDTA115EE-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：5.33
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：82
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signals
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

DDTA115EE-7-F 数据手册

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SPICE MODELS: DDTA123EE DDTA143EE DDTA114EE DDTA124EE DDTA144EE DDTA115EE  
DDTA (R1 = R2 SERIES) E  
PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523  
SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
SOT-523  
·
·
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
A
Dim Min Max Typ  
Complementary NPN Types Available (DDTC)  
Built-In Biasing Resistors, R1 = R2  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
A
0.15 0.30 0.22  
C
B
TOP VIEW  
B
C
D
G
H
J
0.75 0.85 0.80  
1.45 1.75 1.60  
¾
¾
0.50  
G
H
Mechanical Data  
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.00 0.10 0.05  
0.60 0.80 0.75  
0.10 0.30 0.22  
0.10 0.20 0.12  
0.45 0.65 0.50  
·
·
Case: SOT-523  
K
J
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
M
N
K
L
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
L
D
Terminals: Finish - Solderable per MIL-STD-202, Method  
208  
M
N
a
·
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy  
42 leadframe).  
OUT  
0°  
8°  
¾
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
3
All Dimensions in mm  
Marking: Date Code and Marking Code  
(See Diagrams & Page 2)  
C
R1  
B
·
·
Weight: 0.002 grams (approx.)  
Ordering Information (See Page 2)  
R2  
B
1
3
C
OUT  
IN  
E
P/N  
R1, R2 (NOM) MARKING  
1
2
E
DDTA123EE  
DDTA143EE  
DDTA114EE  
DDTA124EE  
DDTA144EE  
DDTA115EE  
2.2KW  
4.7KW  
10KW  
22KW  
47KW  
100KW  
P04  
P08  
P13  
P17  
P20  
P24  
GND(+)  
IN  
GND (+)  
Schematic and Pin Configuration  
Equivalent Inverter Circuit  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VCC  
Supply Voltage, (2) to (3)  
Input Voltage, (1) to (2)  
-50  
V
DDTA123EE  
DDTA143EE  
DDTA114EE  
DDTA124EE  
DDTA144EE  
DDTA115EE  
+10 to -12  
+10 to -30  
+10 to -40  
+10 to -40  
+10 to -40  
+10 to -40  
VIN  
V
Output Current  
DDTA123EE  
DDTA143EE  
DDTA114EE  
DDTA124EE  
DDTA144EE  
DDTA115EE  
-100  
-100  
-50  
IO  
mA  
-30  
-30  
-20  
Pd  
mW  
°C/W  
°C  
Power Dissipation  
150  
833  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Note:  
1. Mounted on FR4 PC Board with recommended pad layout at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30317 Rev. 6- 2  
1 of 4  
DDTA (R1 = R2 SERIES) E  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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DDTA115EE-7-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DDTA115EE-7 DIODES

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI

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