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DDB6U100N16RR

更新时间： 2023-12-06 20:07:55

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英飞凌 - INFINEON		斩波器二极管转换器
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4页	243K
描述
eupec? EconoBRIDGE? - 1600V 二极管桥模块，采用制动斩波器，实现更紧凑的转换器设计。

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DDB6U100N16RR 数据手册

Technische Information / Technical Information

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 100 N 16 RR

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Netz-Diode / Rectifier diode

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

V_RRM

I_FRMSM

I_d

1600

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS forward current (per chip)

T_C= 100°C

T_C= 97°C

Ausgangsstrom

output current

100

104

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current

I_FSM

I²t

650

550

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

2100

1500

A²s

IGBT

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

I_C

1200

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

t_p= 1ms

Periodischer Kollektor-Spitzenstrom

repetitive peak collektor current

I_CRM

P_tot

V_GE

100

350

± 20

T_C= 25°C

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

Schnelle Diode / Fast diode

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

t_p= 1ms

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

I_FRM

Modul

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50Hz, t = 1min

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / Characteristic values

Netz-Diode / Rectifier diode

min. typ. max.

1,55

T_vj= T_{vj max}, i_F= 100A

T_vj= T_{vj max}

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

0,75

5,5

mΩ

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

forward slope resistance

T_vj= T_{vj max,}v_{R =}V_RRM

Sperrstrom

reverse current

i_R

IGBT

T_vj= 25°C, i_C= 50A, v_GE= 20V

T_vj= 125°C, i_C= 50A, v_GE= 20V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

v_{CE sat}

2,5 3,2

3,1

T_vj= 25°C, i_C= 2mA, v_GE= v_CE

Gate-Emitter-Schwellspannung

gate-emitter threshold voltage

v_GE(TO)

4,5 5,5 6,5

BIP PPE 4 rev.2

A 16/05

Seite/page 1(3)

27. Okt 05

12 3 4

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