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DD241S10K-K

更新时间: 2024-11-19 14:48:55
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英飞凌 - INFINEON 局域网测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 214K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 261A, 1000V V(RRM), Silicon,

DD241S10K-K 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.72应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.55 VJESD-30 代码:R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流:7500 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:261 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向电流:200000 µA
反向测试电压:1000 V表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

DD241S10K-K 数据手册

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European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
GmbH + Co. KG  
Marketing Information  
DD 241 S  
28,5  
35  
6
115  
80  
9
18  
M8  
92  
18  
AK  
K
A
March 1998  

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