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DD241S12K

更新时间: 2024-11-19 21:14:23
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英飞凌 - INFINEON 局域网测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 180K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 261A, 1200V V(RRM), Silicon,

DD241S12K 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-XUFM-X3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.83
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.55 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X3最大非重复峰值正向电流:7500 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:261 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向电流:200000 µA反向测试电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

DD241S12K 数据手册

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European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
GmbH + Co. KG  
Marketing Information  
DD 241 S  
28,5  
35  
6
115  
80  
9
18  
M8  
92  
18  
AK  
K
A
March 1998  

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