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DCF010

更新时间： 2024-09-14 22:29:23

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三洋 - SANYO		二极管开关
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
Ultrahigh-Speed Switching Diode

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DCF010 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.45
其他特性：	ULTRA HIGH SPEED SWITCHING	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

DCF010 数据手册

Ordering number:EN2789B

DCF010

Silicon Epitaxial Planar Type (Anode Common)

Ultrahigh-Speed Switching Diode

Features

Package Dimensions

unit:mm

· Ideally suited for use in hybrid ICs because of very

small-sized package.

1186A

· Fast switching speed.

· Small interterminal capacitance.

[DCF010]

1:Cathode1

2:Cathode2

3:Anode1, Anode2

Specifications

SANYO:MCP

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter

Peak Reverse Voltage

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Reverse Voltage

Peak Forward Current

Unit rating

Total rating

Unit rationg

Total tating

Unit rating

total rating

300

450

100

150

Average Rectified Current

Surge Current (1µs)

FSM

Allowable Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

100

125

˚C

Tstg

–55 to +125

˚C

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Ratings

typ

0.61

0.74

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

max

Forward Voltage

Reverse Current

I =1mA

I =10mA

I =100mA

1.20

=30V

0.1

0.5

4.0

µA

=80V

Interterminal Capacitance

Reverse Recovery Time

=0V, f=1MHz

trr

I =10mA, V =6V, R =50Ω, Irr=0.1Irp

Reverse Recovery Time Test Circuit

Electrical Connection

(Top view)

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters

TOKYO OFFICE, Tokyo Bldg., 1-10 , Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

52098HA (KT)92995GI(KOTO)/5108TA, TS No.2789-1/2

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