DB3-AP

更新时间： 2024-11-17 06:52:19

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描述
SILICON BIDIRECTIONAL DIAC

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DB3-AP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	DO-35G, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5
最大转折电压：	36 V	最小转折电压：	28 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	子类别：	DIACs
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	DIAC
Base Number Matches：	1

DB3-AP 数据手册

DB3/DC34

AND

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

DB4/DB6

Features

SILICON

BIDIRECTIONAL

DIAC

The three layer, two terminal, axial lead, hermetically sealed

diacs are designed specifically for triggering thyristors.

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

•

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C

These diacs are intended for use in thyrisitors phase control ,

circuits for lamp dimming, universal motor speed control ,and

DO-35G

Type number is marked.

heat control.

Maximum Ratings

Operating Temperature: -40^oC to +110^oC

Storage Temperature: -40^oC to +125^oC

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Power dissipation

on Printed

Circuit(l=10mm)

P_C

150mW

T_A=50^oC

Repetitive Peak

on-state Current

DB3,DC34,DB4

DB6

Breakover Voltage

DB3

DC34

DB4

DB6

I_TRM

2.0A

16A

t_p=10us,f=100Hz

C=22nF(Note 3)

Min Typ Max

28 32 36V

30 34 38V

35 40 45V

56 60 70V

V_BO

Breakover Voltage

Symmetry

DB3, DC34, DB4

DB6

|+V_BO|

-|-V_BO|

C=22nF(Note 3)

±3V

±4V

DIMENSIONS

INCHES

MIN

---

1.083

Output

Voltage(Note 2)

Breakover

DIM

MAX

.150

.079

.020

---

MIN

---

27.50

MAX

3.8

2.00

.52

NOTE

V_o(min)

---

I_BO(max)

T_r

100uA

1.5us

10uA

C=22nF

Current(Note 2)

Rise Time(Note 2)

Leakage

Current(Note 2)

I_B(max)

V_B=0.5V_BO(max)

Note: 1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.

2. Electrical characteristics applicable in both forward and

reverse directions.

3. Connected in parallel with the devices.

www.mccsemi.com

Revision: 6

2008/02/01

1 of 3

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DB3-AP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
LLDB3-TP	MCC	功能相似	暂无描述
DB3	DIOTEC	功能相似	Bidirectional Si-Trigger-Diodes

与DB3-AP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DB3A-TP	MCC	获取价格	DIAC, 36V V(BO) Max, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, A-405, 2 PIN
DB3B	TAITRON	获取价格	Bidirectional DIAC Trigger Diode
DB3B-A1AA	CHERRY	获取价格	Precision switch with high repeat accuracy
DB3B-A1BA	CHERRY	获取价格	Precision switch with high repeat accuracy
DB3B-B1AA	CHERRY	获取价格	Precision switch with high repeat accuracy
DB3B-B1BA	CHERRY	获取价格	Precision switch with high repeat accuracy
DB3B-C1AA	CHERRY	获取价格	Precision switch with high repeat accuracy
DB3B-C1BA	CHERRY	获取价格	Precision switch with high repeat accuracy
DB3B-D1AA	CHERRY	获取价格	Precision switch with high repeat accuracy
DB3B-D1BA	CHERRY	获取价格	Precision switch with high repeat accuracy

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