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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> DB202LS-HF-T
DB202LS-HF-T PDF预览

DB202LS-HF-T

更新时间： 2024-11-23 13:02:19
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
6页 360K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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DB202LS-HF-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最小击穿电压：100 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DB202LS-HF-T 数据手册

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DB201S  
THRU  
DB207S  
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 2.0 Amperes  
FEATURES  
* Good for automation insertion  
* Surge overload rating - 60 amperes peak  
* Ideal for printed circuit board  
* Reliable low cost construction utilizing molded  
* Glass passivated device  
* Polarity symbols molded on body  
* Mounting position: Any  
* Weight: 1.0 gram  
DB-S  
(
)
)
.310 7.9  
(
.290 7.4  
(
)
.255 6.5  
MECHANICAL DATA  
(
)
.245 6.2  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
.009  
(
)
0.229  
(
)
)
.013 .330  
(
.003 .076  
(
)
.410 10.4  
(
)
)
.042 1.1  
(
)
.360 9.4  
(
.038 1.0  
(
)
)
.060 1.524  
(
.040 1.016  
(8.8)  
(7.8)  
.346  
.307  
(
)
)
0.135 3.4  
(
0.115 2.9  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
resistive or inductive load.  
(
)
)
.205 5.2  
(
.195 5.0  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T = 25oC unless otherwise noted)  
A
RATINGS  
SYMBOL  
VRRM  
DB201S DB202S DB203S DB204S DB205S DB206S DB207S UNITS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
VRMS  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
IO  
100  
400  
2.0  
1000  
Volts  
Maximum Average Forward Output Current at T = 40oC  
A
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
60  
Amps  
2
2
Typical Current Squared Time  
I T  
A S  
14.9  
40  
R
θ
θ
J A  
J L  
0C/W  
0 C  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
R
15  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J,  
T
STG  
-55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At T = 25oC unless otherwise noted)  
A
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
VF  
DB201S DB202S DB203S DB204S DB205S DB206S DB207S UNITS  
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge  
Element at 2.0A DC  
1.1  
Volts  
@TA = 25oC  
@TA = 125oC  
uAmps  
mAmps  
2009-12  
Maximum Reverse Current at Rated  
5.0  
0.5  
IR  
DC Blocking Voltage per element  
Note: 1.”Fully ROHS compliant”,”100% Sn plating(Pb-free).  
2. Thermal Resistance: Mounted on PCB.  
REV:  
A
123456

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