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DB15-12

更新时间： 2024-01-09 19:24:27

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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2页	181K
描述
Three-Phase Si-Bridge Rectifiers

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DB15-12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	S-PUFM-X5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.45	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	S-PUFM-X5
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	385 A
元件数量：	6	相数：	3
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DB15-12 数据手册

DB 15-005 … DB 15-16

Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter

Three-Phase Si-Bridge Rectifiers

Nominal current

Nennstrom

15 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

50…1600 V

Plastic case with alu-bottom

Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden

Dimensions

28.5 x 28.5 x 10 [mm]

Abmessungen

Weight approx. – Gewicht ca.

21 g

Compound has classification UL94V-0

Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging: bulk

see page 22

Standard Lieferform: lose im Karton s. Seite 22

Dimensions / Maße in mm

Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067

Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067

Maximum ratings

Grenzwerte

Repetitive peak reverse voltage

Type

Typ

max. alternating input voltage

max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspannung

V_VRMS[V]

V_RRM[V] ¹)

DB 15-005

DB 15-01

DB 15-02

DB 15-04

DB 15-06

DB 15-08

DB 15-10

DB 15-12

DB 15-14

DB 15-16

100

140

200

280

400

420

600

560

800

700

1000

1200

1400

1600

800

900

1000

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

I_FRM

80 A ²)

250 A

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

T_A= 25ꢀC

I_FSM

)

Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig

Max. case temperature T_C= 120ꢀC – Max. Gehäusetemperatur T_C= 120ꢀC

344

28.02.2002

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