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DB104-G

更新时间： 2024-02-10 17:36:10
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上华 - COMCHIP /
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
Glass Passivated Bridge Rectifiers

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DB104-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.27其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：400 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

DB104-G 数据手册

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Glass Passivated Bridge Rectifiers  
DB101-G Thru. DB107-G  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 1.0A  
RoHS Device  
Features  
-Rating to 1000V PRV  
DB  
0.335(8.50)  
0.307(7.80)  
-Ideal for printed circuit board  
-Low forward voltage drop  
-High current capability  
-
+
~
0.256(6.50)  
0.244(6.20)  
~
0.350(8.90)  
0.300(7.60)  
Mechanical Data  
0.346(8.80)  
0.323(8.20)  
-Case: DB, molded plastic  
-Epoxy: UL 94-V0 rate flame retardant.  
-Polarit: As marked on Body  
-Mounting position: Any  
0.134(3.40)  
0.124(3.15)  
0.059(1.50)  
0.193(4.90)  
0.155(3.90)  
0.022(0.55)  
0.018(0.45)  
0.205(5.20)  
0.197(5.00)  
-Weight: 0.53 grams  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
Symbol  
DB101-G DB102-G DB103-G DB104-G DB105-G DB106-G DB107-G  
Parameter  
Unit  
Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
1000  
Maximum Average Forward  
I
(AV)  
1.0  
30  
A
A
Rectified Current @T =40°C  
A
Peak Forward Surage Current , 8.3ms Single  
Half Sine-Wave Super Imposed On  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
I2 t Rating For Fusing (t＜8.3ms)  
I 2 t  
10.4  
1.1  
A2 s  
V
Maximum Forward Voltage At 1.0A DC  
VF  
@TJ=25°C  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage @T  
10  
500  
μA  
IR  
J
=125°C  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
pF  
°C/W  
°C  
C
J
25  
R
θJA  
40  
TJ  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
TSTG  
°C  
Notes:  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Thermal resistance from junction to ambient mounted on P.C.B with 0.5"×0.5" (13×13mm) copper pads.  
REV:A  
Page 1  
QW-BBR69  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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