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DB104L-BP

更新时间： 2024-02-26 22:56:18

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美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	219K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DB-1, 4 PIN

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技术参数
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DB104L-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DB-1, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.21	其他特性：	UL RECOGNIZED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDIP-T4
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DB104L-BP 数据手册

DB101L

THRU

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

DB107L

1 Amp Single Phase

Glass Passivated

Bridge Rectifier

Features

Through Hole Package

Glass Passivated Diode Construction

Moisture Resistant Epoxy Case

High Surge Current Capability

50 to 1000 Volts

UL Recognized File # E165989

DB-1

Maximum Ratings

Operating Junction Temperature: -55°C to +125°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Notch

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

DB101L

DB102L

DB103L

DB104L

DB105L

DB106L

DB107L

DB101

DB102

DB103

DB104

DB105

DB106

DB107

35V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

70V

100V

140V

280V

420V

560V

700V

200V

400V

600V

800V

1000V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

Peak Forward Surge

Current

I_F(AV)

1 A

T_A= 40°C

DIMENSIONS

INCHES

I_FSM

50A

8.3ms, half sine

DIM

MIN

.316

.245

.300

.236

.086

MAX

.335

.255

.350

.299

.130

MIN

8.05

6.20

7.60

6.01

2.20

MAX

8.51

6.50

8.90

7.60

3.30

NOTE

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

I_R

1.1V

I_FM= 1.0A;

T_J= 25°C

.060

1.50

Typ

.016

.195

.022

.205

.041

5.00

.056

5.20

10mA

0.5mA

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Typical Junction

Capacitance

C_J

25pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse Test: Pulse Width 300msec, Duty Cycle 2%

www.mccsemi.com

Revision: 6

2006/02/27

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与DB104L-BP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DB104LS	RECTRON	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURR	获取价格
DB104LS-C-HF	RECTRON	暂无描述	获取价格
DB104LS-HF-C	RECTRON	Bridge Rectifier Diode,	获取价格
DB104LS-HF-T	RECTRON	Bridge Rectifier Diode,	获取价格
DB104LS-W	RECTRON	Bridge Rectifier Diode,	获取价格
DB104PT	CHENMKO	SILICON BRIDGE RECTIFIER	获取价格