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DB102S

更新时间： 2024-01-15 04:19:43
品牌 Logo 应用领域
ASEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 139K
描述
1.0A Single-Phase Glass Passivated Bridge Rectifiers

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DB102S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.57
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDIP-W4
元件数量：4相数：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

DB102S 数据手册

 浏览型号DB102S的Datasheet PDF文件第1页 
Rating and Characteristic Curves( TA=25 C Unless otherwise noted )  
DB101S thru DB107S  
Fig. 2 Maximum Non-repetitive Peak  
Fig. 1 Derating Curve for  
Output Rectified Current  
Forward Surge Current  
1.0  
60  
60Hz Resistive of  
Inductive Load  
8.3ms  
50  
Single half-sine-Wave  
[JEDEC Method]  
40  
30  
20  
0.5  
10  
0
1
10  
100  
Number of Cycles at 60HZ  
Fig. 4 Typical Revers Characteristics  
100  
0
40  
60  
80  
100  
120  
140  
Tj=125 C  
10  
1.0  
0.1  
Case Temperature, C  
Fig. 3 Typical Instantaneous  
Forward Characteristics  
Tj=25 C  
.01  
10  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
140  
Tj=25 C  
Percent of Rated Peak Reverse  
Voltage, %  
Pulse Width=300us  
2% duty cycle  
1.0  
0.1  
.01  
Fig. 5 Typical Junction Capacitance  
100  
Tj=25 C  
f=1.0MHz  
Vsig =50mV p.p.  
10  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
Instantaneous Forward  
Voltage, Volts  
1
1.5  
2
10  
100  
Reverse Voltage, Volts  
www.asemi.tw  
12

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