DAN222T1G

更新时间： 2024-01-26 01:23:44

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安森美 - ONSEMI		二极管开关光电二极管
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1页	56K
描述
Common Cathode Silicon Dual Switching Diode

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DAN222T1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 463-01, SC-75, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.01
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

DAN222T1G 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

SOT-523 Plastic-Encapsulated Diode

SOT-523

DAN222

SWITCHING DIODE

FEATURES:

Power dissipation

P_D:

150

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_F:

100 mA

Collector-base voltage

V_R: 80

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

CIRCUIT:

MARKING:

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)

I_R

Test

conditions

I_R= 100µA

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

V_R=70V

0.1

µA

Forward voltage

V_F

I_F=100mA

1.2

3.5

Diode capacitance

C_D

t_rr

V_R=6V, f=1MHz

V_R=6V, I_F=5mA

Reverse recovery time

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与DAN222T1G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DAN222-T1-LF	WTE	Rectifier Diode, 2 Element, 0.05A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
DAN222TL	ROHM	Band Switching Diode	获取价格
DAN222-TP	MCC	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
DAN222TR	ROHM	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon,	获取价格
DAN222WM	ROHM	Switching Diode	获取价格
DAN222WMFH	ROHM	Switching Diode	获取价格