DAN235EFH

更新时间： 2024-02-21 00:51:42

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罗姆 - ROHM		二极管开关
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4页	172K
描述
Mixer Diode, Silicon, EMD3, SC-75A, 3 PIN

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DAN235EFH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.71	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	1.2 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.15 W	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DAN235EFH 数据手册

DAN235E

Diodes

Band switching diode

DAN235E

zApplication

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLead size figure (Unit : mm)

High speed switching

1.0

0.5

1.6±0.2

0.3±0.1

0.15±0.05

ꢀꢀꢀ 0.05

zFeatures

(3)

0.7

1) Ultra small mold type. (EMD3)

2) High reliability.

0～0.1

0.6

EMD3

(1)

(2)

0.5

0.2±0.1

ꢀꢀ-0.05

0.55±0.1

0.7±0.1

0.5

1.0±0.1

z Construction

Silicon epitaxial planar

zStructure

ROHM : EMD3

JEDEC : SOT-416

JEITA : SC-75A

dot (year week factory)

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.1

2.0±0.05

0.3±0.1

4.0±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

1.8±0.1

φ0.5±0.1

0.9±0.2

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Power dissipation

Limits

Symbol

Unit

150

Reverse voltage (DC)

Junction temperature

Storage temperature

V_R

125

-55 to +125

℃

Tstg

℃

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=10mA

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.0

Unit

Forward current

V_F

I_R

Reverse current

V_R=25V

Capacitance between terminals

Forwad operating resistance

V_R=6V , f=1MHz

1.2

0.9

I_F=2mA , f=100MHz

Rev.A

1/3

12 3 4

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