DAN222TL

更新时间： 2024-01-18 19:25:09

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罗姆 - ROHM		整流二极管开关光电二极管 PC
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描述
Band Switching Diode

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DAN222TL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-89, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	1.09	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DAN222TL 数据手册

Data Sheet

Band Switching Diode

DAN222

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

Ultra high speed switching

1.0

1.6±0.2

0.3±0.1

0.5

0.15±0.05

ꢀꢀꢀ 0.05

Features

(3)

1) Ultra small mold type. (EMD3)

2) High reliability.

0.7

0～0.1

0.6

(1)

(2)

0.5

0.2±0.1

ꢀꢀ-0.05

EMD3

0.55±0.1

0.7±0.1

0.5

Construction

1.0±0.1

Silicon epitaxial planar

Structure

ROHM : EMD3

JEDEC : SOT-416

JEITA : SC-75A

dot (year week factory)

Taping specifications(Unit : mm)

φ1.55±00..1

φ1.5

2.0±0.05

0.3±0.1

4.0±0.1

0

ꢀꢀꢀꢀꢀ

1.8±0.1

φ0.5±0.1

0.9±0.2

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

I_FM

Forward current (single)

Average rectified forward voltage (single)

Surge current （t=1us）

300

100

I_surge

Power dissipation

150

°C

Junction temperature

150

Storage temperature

55 to 150

100

Tstg

°C

Rated in slash put frequency

MHz

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=100mA

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.2

0.1

3.5

Unit

Forward voltage

V_F

I_R

Reverse current

μA

V_R=70V

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

trr

V_R=6V , f=1MHz

V_R=6V , IF=5mA , RL=50Ω

www.rohm.com

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2011.06 - Rev.B

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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