DAN222M

更新时间： 2024-02-12 11:57:00

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罗姆 - ROHM		二极管开关
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描述
Switching diode

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DAN222M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-89, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	1.09	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DAN222M 数据手册

DAN222M

Diodes

Switching diode

DAN222M

zApplication

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Ultra high speed switching

0.8

1.2±0.1

0.13±0.05

0.32±0.05

(3)

0.5

0.4

zFeatures

1) Ultra small mold type. (VMD3)

2) High reliability.

0～0.1

0.4

(1)

0.4

(2)

0.22±0.05

0.4

0.22±0.05

0.5±0.05

VMD3

zStructure

zConstruction

ROHM : VMD3

dot (year week factory)

Silicon epitaxial planar

zTaping specifications (Unit : mm)

0.3±0.1

2.0±0.04

4.0±0.07

φ1.55±0.05

φ0.5±0.05

0.6±0.05

(4.0±0.1)

2.0±0.05

1.3±0.05

ꢀꢀꢀ 0

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Forward voltage (Single)

Average rectified forward current (Single)

Surge current （t=1us）

Power dissipation

Junction temperature

I_FM

300

100

150

℃

I_surge

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

℃

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

I_F=100mA

V_F

I_R

1.2

0.1

3.5

Reverse current

V_R=70V

µA

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

V_R=6V , f=1MHz

V_R=6V , IF=5mA , RL=50Ω

trr

Rev.B

1/2

12 3

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