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DAN208_08

更新时间: 2024-11-18 12:50:11
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德欧泰克 - DIOTEC /
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描述
Silicon-Twin Rectifiers – Center Tap

DAN208_08 数据手册

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DAN208 / DAP208 (1.2 W)  
DAN208 / DAP208 (1.2 W)  
Silicon-Twin Rectifiers – Center Tap  
Silizium-Doppeldiode – Mittelpunktschaltung  
Version 2008-04-15  
Nominal power dissipation  
Nenn-Verlustleistung  
1.2 W  
150 V  
3.5±0.2  
8.5±0.2  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Type  
Typ  
3-pin Plastic case  
3-Pin Kunststoffgehäuse  
8.5 x 3.5 x 6.6 [mm]  
0.7 g  
Ø 0.8  
3.5  
Weight approx. – Gewicht ca.  
2 x 2.54  
Standard packaging bulk  
Standard Lieferform lose im Karton  
Dimensions - Maße [mm]  
3
2
3
1
2
1
“DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden  
“DAP” common anodes / gemeinsame Anoden  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V] 1)  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V] 1)  
DAN208  
DAP208  
100  
100  
150  
150  
Max. average forward rectified current, R-load  
for one diode operation only  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
IFAV  
IFAV  
1 A 2)  
2 A 2)  
for simultaneous operation  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
für eine einzelne Diode  
IFAV  
IFAV  
1 A 2)  
2 A 2)  
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
IFSM  
10/11 A  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
1
2
Per diode – Pro Diode  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 

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