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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DAA200X1800NA | IXYS |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 1800V V(RRM), Silicon, |
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| DAA200X1800NA | LITTELFUSE |
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分立雪崩二极管系列提供多种封装和高达1800V的击穿电压。 改进的设计除了提供高整流性能外 |
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| DAA200XA1800NA | IXYS |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 1800V V(RRM), Silicon, |
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| DAA200XA1800NA | LITTELFUSE |
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分立雪崩二极管系列提供多种封装和高达1800V的击穿电压。 改进的设计除了提供高整流性能外 |
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| DAA2100 | ETC |
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Telecommunication IC |
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| DAA3W3PA197F0 | ITT |
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D Subminiature Connector, 3 Contact(s), Female, Crimp Terminal, |
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| DAA3W3PFO | ITT |
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Ensuring over 20 years of mission critical communication between two worlds across 250,000 |
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| DAA3W3PK87F0 | ITT |
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D Subminiature Connectors |
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| DAA3W3PK87FO | ITT |
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Ensuring over 20 years of mission critical communication between two worlds across 250,000 |
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| DAA3W3PNMBK47FO | ITT |
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Ensuring over 20 years of mission critical communication between two worlds across 250,000 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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