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DA22F2100L

更新时间： 2024-02-11 10:38:52

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松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
5页	299K
描述
Silicon epitaxial planar type

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DA22F2100L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SC-109D, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	3.73	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DA22F2100L 数据手册

Doc No. TT4-EA-12363

Revision. 3

Product Standards

Fast Recovery Diode

DA22F2100L

 Electrical Characteristics Ta = 25 C  3 C

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

IRRM VRRM = 200 V

Conditions

Min Typ Max

Unit

A

IF = 1.0 A

0.98

Terminal capacitance

VR = 0 V, f = 1 MHz

IF= 0.5 A, IR = 1 A

Irr = 0.25 x IR

Reverse recovery time ^*1

trr

Note)1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 Measuring methods for Diodes.

2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.).

Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage of current from the operating equipment.

3. *1: trr test circuit

50 Ω

t_rr

D.U.T.

I_F

0.25 × I_R

5.5 Ω

I_R

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Established : 2010-02-12

Revised

: 2013-05-23

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