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D965

更新时间： 2024-01-27 16:34:00

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司坦森 - STANSON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	81K
描述
NPN TRANSISTOR

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D965 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

D965 数据手册

NPN TRANSISTOR

5.0A

D965

ꢀ AF OUTPUT AMPLIFIER

ꢀ FOR DC-DC CONVERTER

ꢀ FOR CAMERA ELECTRONIC FALSH UNIT

ꢀ HIGH PERFORMANCE AT LOW SUPPLY

VLOTAGE

ꢀ LOW VCE(SAT)

TO-92

（

℃）

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ta=25

PARAMETERS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Base Leakage

SYMBOL MIN TYP MAX UNIT

BVceo 20

CONDITION

Ic=1mA

BVcbo

BVebo

Icbo

Ic=5 A

Ie=50 A

0.1

0.5

600

Vcb=30V

Emitter-Base Leakage

Iebo

Veb=5V

Collector-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

（）

Vce sat

Ic=3A, Ib=0.1A

Hfe1

Hfe2

340

180

Vce=2V,Ic=0.5A

Vce=2V,Ic=4A

Collector Current

A(Pulse)

MHz

Peak Collector Current

Current Gain Bandwidth

Output Capacitance

Power Dissipation

Icp

f_T

170

Vcb=6V, Ic=50mA

Cob

Vcb=20V,Ie=0,f=1MHz

0.75

150

℃

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

-55

℃

STANSON TECHNOLOGY

120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA

TEL: (650) 9389294 FAX: (650) 9389295

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