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D950N22T PDF预览

D950N22T

更新时间： 2024-02-19 06:35:04
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 211K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 950A, 2200V V(RRM), Silicon,

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D950N22T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.52
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.12 VJESD-30 代码：O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：10250 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：180 °C最大输出电流：950 A
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：2200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

D950N22T 数据手册

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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Gleichrichterdiode  
Rectifier Diode  
D950N  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC  
Kühlung /  
Cooling  
Pos. n  
Rthn [°C/W] 0,000138 0,003592 0,00447  
0,000133 0,001560 0,01010  
Rthn [°C/W] 0,000138 0,003452 0,00365  
1
2
3
4
5
6
-
7
-
0,0105  
0,0736  
0,0223  
0,3750  
beidseitig  
two-sided  
-
-
τn [s]  
0,01146  
0,06080  
0,01588  
0,10200  
0,0165  
0,3230  
0,0418  
-
-
-
-
anodenseitig  
anode-sided  
0,000133 0,001530 0,00790  
3,0300  
τn [s]  
Rthn [°C/W] 0,000138 0,003692 0,00505  
0,06324  
1,96000  
-
-
kathodenseitig  
cathode-sided  
0,000133 0,001570 0,01180  
τn [s]  
nmax  
-t  
τn  
=
−
ZthJC  
Rthn 1 e  
Analytische Funktion / Analytical function:  
Σ
n=1  
0,10  
0,09  
0,08  
0,07  
0,06  
0,05  
0,04  
0,03  
0,02  
0,01  
0,00  
c
a
b
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC  
Z thJC = f(t)  
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling  
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling  
A 12/10  
4/8  
IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann  
Seite/page  
12345678

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