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D950N22T

更新时间： 2024-02-08 19:32:36

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	211K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 950A, 2200V V(RRM), Silicon,

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技术参数
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D950N22T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.52
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.12 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	10250 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	180 °C	最大输出电流：	950 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

D950N22T 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D950N

10000

i_FM

Qr Diagramm

1600A

800A

400A

200A

100A

50A

1000

100

-di/dt [A/µs]

0,1

100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge

Q_r=f(-di/dt)

T_vj= T_vjmax, v_R≤ 0,5 V_RRM, v_RM= 0,8 V_RRM

RC-Glied / RC-Network: R = 5,6Ω, C = 0,68µF

0-50V

0,33 V_RRM

0,67 V_RRM

Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I_F(OV)Mvon der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V_RM

Typical dependency of maximum overload on-state current I_F(OV)Mas a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V_RM

_F(OV)M= f (pulses, V_RM) ; T_vj= T_{vj max}

A 12/10

7/8

IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann

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