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D675S20T

更新时间： 2024-11-25 20:08:03

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英飞凌 - INFINEON		/
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 765A, 2000V V(RRM), Silicon,

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D675S20T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.83
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	O-XXDB-X4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1200 A
重复峰值反向电压：	2000 V	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

D675S20T 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 675 S 20...25

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 25°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

V_RRM

V_RSM

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

2000

2500

Stoßspitzensperrspannung

2100

2600

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

1200

T_C=85°C

T_C=75°C

Dauergrenzstrom

675

765

mean forward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

10000

8500

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

500000 A²s

361000 A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2300 A

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

max.

2,62

1,25

0,5

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

forward slope resistance

Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung

peak value of forward recovery voltage

IEC 747-2

V_FRM

T_vj= T_{vj max}

di_F/dt=600A/µs, v_R=0V

µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM=di_F/dt*t_fr

di_F/dt=600A/µs, v_R=0V

t_fr

T_vj= 25°C, v_R=V_RRM

Sperrstrom

i_R

max.

15 mA

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

reverse current

200 mA

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=1600A,-di_F/dt=600A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

Rückstromspitze

I_RM

860

peak reverse recovery current

µAs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=1600A,-di_F/dt=600A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

2100

µs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=1600A,-di_F/dt=600A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

Sperrverzögerungszeit

reverse recovered time

3,8

µs/A ²⁾

T_vj= T_{vj max}

Sanftheit

Softness

0,0015

i_FM=1600A,-di_F/dt=600A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 18.05.93 , R.Jörke

Seite/page 1

A 14/93

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D675S25	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D675S25T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 765A, 2500V V(RRM), Silicon,
D67DE	POWEREX	获取价格	Fast Switching Single Darlington Transistor Module
D67DE5	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| DARLINGTON \| 400V V(BR)CEO \| 100A I(C)
D67DE6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| DARLINGTON \| 450V V(BR)CEO \| 100A I(C)
D67DE7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| DARLINGTON \| 500V V(BR)CEO \| 100A I(C)
D67FP	POWEREX	获取价格	Fast Switching Single Darlington Transistor Module
D67FP5	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| DARLINGTON \| 400V V(BR)CEO \| 100A I(C)
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