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D45CBU

更新时间： 2024-11-01 18:14:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
59页 336K
描述
TRANSISTOR 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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D45CBU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

D45CBU 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
4.0 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
. . . for general purpose driver or medium power output stages in CW or switching  
applications.  
POWER TRANSISTORS  
80 VOLTS  
•
•
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage — 0.5 V (Max)  
High f for Good Frequency Response  
t
Low Leakage Current  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
V
CEO  
VCES  
90  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak (1)  
I
C
4.0  
6.0  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
P
D
30  
1.67  
Watts  
W/ C  
C
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
4.2  
75  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
θJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds  
θJA  
T
L
275  
(1) Pulse Width  
6.0 ms, Duty Cycle  
50%.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
J
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 1.0 Vdc, I = 0.2 Adc)  
C
40  
20  
20  
120  
—
—
= 1.0 Vdc, I = 1.0 Adc)  
C
C
= 1.0 Vdc, I = 2.0 Adc)  
(REPLACES D44C)  
3–415  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...59

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与D45CBU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D45CBV ONSEMI

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 		4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
D45D1 RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,50V V(BR)CEO,6A I(C),TO-220AB
D45D1-6200 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
D45D1-6226 RENESAS

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 		6A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D45D1-6255 RENESAS

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 		6A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D45D1-6263 RENESAS

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 		6A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D45D1-6264 RENESAS

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 		6A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D45D1-DR6259 RENESAS

获取价格

 		6A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D45D1-DR6269 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
D45D1-DR6280 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti

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