5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D45CBV | ONSEMI |
获取价格 |
4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
|
| D45D1 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,50V V(BR)CEO,6A I(C),TO-220AB |
|
| D45D1-6200 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| D45D1-6226 | RENESAS |
获取价格 |
6A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D45D1-6255 | RENESAS |
获取价格 |
6A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D45D1-6263 | RENESAS |
获取价格 |
6A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D45D1-6264 | RENESAS |
获取价格 |
6A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D45D1-DR6259 | RENESAS |
获取价格 |
6A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D45D1-DR6269 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| D45D1-DR6280 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
