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D368S10

更新时间： 2024-09-29 05:27:51

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英飞凌 - INFINEON		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
5页	62K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 1000V V(RRM), Silicon,

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D368S10 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.84	Base Number Matches：	1

D368S10 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 368 S 10...14

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 25°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

V_RRM

1000

1200

1400

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

1100

1300

1500

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

730

T_C=100°C

T_C=78°C

Dauergrenzstrom

368

465

mean forward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

T_vj= 25°C, tp = 1 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

6300

5200

13290

10970

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

T_vj= 25°C, tp = 1ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1ms

Grenzlastintegral

I²t

198450 A²s

135200 A²s

88310 A²s

60170 A²s

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 1400 A

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

max.

2,25

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

0,8

3,9

forward slope resistance

Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung

typical value of forward recovery voltage

IEC 747-2

V_FRM

typ

T_vj= T_{vj max}

di_F/dt=50A/µs, v_R=0V

µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM=1400A

t_fr

4,1

di_F/dt=50 A/µs, v_R=0V

T_vj= 25°C, v_R=V_RRM

Sperrstrom

i_R

max.

10 mA

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

reverse current

100 mA

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=465A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Rückstromspitze

I_RM

peak reverse recovery current

µAs

210

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=465 A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

µs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=465A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100 V; v_RM<=200V

Sperrverzögerungszeit

reverse recovered time

3,45

µs/A ²⁾

T_vj= T_{vj max}

Sanftheit

Softness

i_FM=A,-di_F/dt=A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 17.02.87

Seite/page 1

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D368S12	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 1200V V(RRM), Silicon,
D368S14	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 1400V V(RRM), Silicon,
D368S14SEITE1BIS5	ETC	获取价格	SCR / Diode Presspacks
D368ST	IRI	获取价格	STANDARD RECOVERY DIODE
D368ST1212	IRI	获取价格	STANDARD RECOVERY DIODE
D368ST1414	IRI	获取价格	STANDARD RECOVERY DIODE
D368ST1616	IRI	获取价格	STANDARD RECOVERY DIODE
D36NH02L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 24V - 0.011ohm - 30A - DPAK STripFET III Power MOSFET
D36V0L1B2LP	DIODES	获取价格	1 CHANNEL BIDIRECTIONAL TVS
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