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D269N

更新时间: 2024-01-22 13:41:45
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 72K
描述
SCR / Diode Presspacks

D269N 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75应用:POWER
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-XEDB-N2
最大非重复峰值正向电流:4000 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:350 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:2800 V
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:ENDBase Number Matches:1

D269N 数据手册

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European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
GmbH + Co. KG  
Leistungsgleichrichterdioden  
Power Rectifier Diodes  
D 269 N  
ø36  
Kathode  
Cathode  
Anode  
ø36  
+0,1  
ø3,5 x 3,5 tief / depth  
beidseitig / on both sides  
7
.
x
a
m
4
VWK July 1996  

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