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D2003UK

更新时间: 2023-12-06 20:11:08
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TTELEC /
页数 文件大小 规格书
5页 103K
描述
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

D2003UK 数据手册

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TetraFET  
D2003UK  
ROHS COMPLIANT  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
B
H
C
G
2
3
4
1
5W – 28V – 1GHz  
PUSH–PULL  
A
D
E
5
F
I
FEATURES  
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
N
M
O
J
K
DQ  
• VERY LOW C  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 5  
SOURCE (COMMON) PIN 2  
DRAIN 1  
GATE 2  
rss  
DRAIN 2  
GATE 1  
PIN 4  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
DIM  
A
B
C
D
E
mm  
16.38  
1.52  
45°  
6.35  
3.30  
14.22  
Tol.  
Inches  
Tol.  
0.010  
0.005  
5°  
0.005  
0.005  
0.005  
• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM  
0.26  
0.13  
5°  
0.13  
0.13  
0.13  
0.645  
0.060  
45°  
0.250  
0.130  
0.560  
APPLICATIONS  
F
G
H
I
J
K
M
N
O
1.27 x 45° 0.13 0.05 x 45° 0.005  
VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 50 MHz to 1 GHz  
1.52  
6.35  
0.13  
2.16  
1.52  
5.08  
18.90  
0.13  
0.13  
0.02  
0.13  
0.13  
MAX  
0.13  
0.060  
0.250  
0.005  
0.085  
0.060  
0.200  
0.744  
0.005  
0.005  
0.001  
0.005  
0.005  
MAX  
0.005  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
35W  
case  
P
Power Dissipation  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage *  
Gate – Source Breakdown Voltage *  
Drain Current *  
65V  
±20V  
DSS  
GSS  
I
1A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
* Per Side  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Document Number 3416  
Issue 2  

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