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D1210UK

更新时间： 2024-10-02 22:29:03
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 射频
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

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D1210UK 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5
其他特性：LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：10 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRFM-F4
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：GOLD端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

D1210UK 数据手册

 浏览型号D1210UK的Datasheet PDF文件第2页 
TetraFET  
D1210UK  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
A
B
C
1
2
3
10W – 12.5V – 175MHz  
SINGLE ENDED  
D
4
E
M
F
G
FEATURES  
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
H
K
I
J
DA  
• LOW C  
rss  
PIN 1  
PIN 3  
SOURCE  
SOURCE  
PIN 2  
PIN 4  
DRAIN  
GATE  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
DIM  
A
B
C
D
E
mm  
24.76  
18.42  
45°  
6.35  
3.17  
5.71  
9.52  
6.60  
0.13  
4.32  
2.54  
20.32  
Tol.  
Inches  
Tol.  
0.13  
0.13  
5°  
0.975  
0.725  
45°  
0.005  
0.005  
5°  
• HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM  
0.13  
0.25  
0.005  
0.13 0.125 DIA 0.005  
F
0.13  
0.13  
REF  
0.02  
0.13  
0.13  
0.25  
0.225  
0.375  
0.260  
0.005  
0.170  
0.100  
0.800  
0.005  
0.005  
REF  
0.001  
0.005  
0.005  
0.010  
G
H
I
J
K
APPLICATIONS  
• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 175 MHz  
M
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
P
Power Dissipation  
50W  
40V  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage  
Gate – Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
DSS  
±20V  
GSS  
I
8A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
Prelim. 9/95  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D1211 SEME-LAB

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 		METAL GATE RF SILICON FET
D121101FP0-E3 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 1100ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D121134FP5 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 1130000ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHI
D121154FP0 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 1150000ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHI
D121154FP5-PB VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 1150000ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHI
D121180FP0-E3 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 118ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D1211R5FP5-E3 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 11.5ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D1211R8FP5-E3 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 11.8ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP
D1211UK SEME-LAB

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 		METAL GATE RF SILICON FET
D1211UK TTELEC

获取价格

 		OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

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