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D10040180GTH PDF预览

D10040180GTH

更新时间： 2024-01-11 21:32:23
品牌 Logo 应用领域
PDI /
页数 文件大小 规格书
4页 135K
描述
GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 440mA max. @ 24VDC

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D10040180GTH 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOT-115JReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.14其他特性：LOW NOISE
特性阻抗：75 Ω构造：MODULE
增益：19 dB功能数量：1
最大工作频率：1000 MHz最小工作频率：40 MHz
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-30 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SOT-115J
电源：24 V射频/微波设备类型：WIDE BAND HIGH POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers技术：GAAS
Base Number Matches：1

D10040180GTH 数据手册

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Product Specification  
D10040180GTH  
GaAs Power Doubler, 40 – 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 440mA max. @ 24VDC  
FEATURES  
•
•
•
•
•
•
•
Excellent linearity  
Superior return loss performance  
Extremely low distortion  
Optimal reliability  
D10040180GTH  
Low noise  
Unconditionally stable under all terminations  
High output capability  
APPLICATION  
•
40 to 1000 MHz CATV amplifier systems  
DESCRIPTION  
GaAs Power Doubler Hybrid  
•
Hybrid Power Doubler amplifier module with high  
High Output Capability  
output capability employing GaAs die  
40 – 1000MHz  
19.0dB min. Gain @ 1GHz  
440mA max. @ 24VDC  
LIMITING VALUES  
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134)  
SYMBOL PARAMETER  
MIN.  
-
MAX.  
75  
UNIT  
dBmV  
V
Vi  
RF input voltage (single tone)  
DC supply over-voltage (5 minutes)  
storage temperature  
Vov  
Tstg  
Tmb  
-
30  
- 40  
- 30  
+ 100  
+ 100  
°C  
operating mounting base temperature  
°C  
CHARACTERISTICS  
Table 1: S-Parameter, Noise Figure, DC Current; VB = 24V; Tmb = 30°C; ZS = ZL = 75 Ω  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP.  
MAX. UNIT  
Gp  
power gain  
f = 50 MHz  
18.0  
19.0  
0.5  
-
18.5  
20.0  
1.5  
19.0  
20.5  
2.0  
dB  
dB  
dB  
dB  
f = 1000 MHz  
SL  
FL  
slope 1)  
f = 40 to 1000 MHz  
flatness of frequency  
response  
f = 40 to 1000 MHz  
0.8  
(Peak to Valley)  
S11  
input return loss  
f = 40 to 320 MHz  
f = 320 to 640 MHz  
f = 640 to 870 MHz  
f = 870 to 1000 MHz  
f = 40 to 320 MHz  
f = 320 to 640 MHz  
f = 640 to 870 MHz  
f = 870 to 1000 MHz  
f = 50 to 1000 MHz  
20.0  
19.0  
17.0  
16.0  
20.0  
19.0  
18.0  
17.0  
-
-
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
mA  
-
-
-
S22  
output return loss  
-
-
-
-
F
Itot  
noise figure  
5.5  
420.0  
6.5  
440.0  
total current  
consumption (DC)  
Notes:  
1) The slope is defined as the difference between the gain at the start frequency and the gain at the stop frequency.  
Page 1 of 4  
2006 Jan 13  
Document Revision Level A  
1234

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与D10040180GTH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D10040200GT PDI

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 		GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC
D10040200GTH PDI

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 		GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, High, 440mA max. @ 24VDC
D1004020A1028FMZ VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 200ppm, 1.02ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D1004020A1108FMZ VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1.1ohm, 50V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surfac
D1004020A1201JMZ VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1200ohm, 50V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surfa
D1004020A1208FMZ VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1.2ohm, 50V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surfac
D1004020A1208FPZ VISHAY

获取价格

 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 200ppm, 1.2ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D1004020A1218FPZ VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1.21ohm, 50V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surfa
D1004020A1308FMZ VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1.3ohm, 50V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surfac
D1004020A1502JP0 VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 15000ohm, 50V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surf

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