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CZRM27B8V2P

更新时间: 2024-02-26 07:17:28
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上华 - COMCHIP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.8W,

CZRM27B8V2P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.92
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:2 Ω元件数量:1
最高工作温度:150 °C最大功率耗散:0.8 W
标称参考电压:8.2 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES最大电压容差:2%
工作测试电流:100 mABase Number Matches:1

CZRM27B8V2P 数据手册

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Surface Mount Zener Diode  
CCOMCHIP  
www.comchiptech.com  
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES CZRM27C6V8P THRU CZRM27C200P  
FIG.1 - FORWARD CURRENT VS. FORWARD VOLTAGE  
FIG.2 - TYP. DIODE CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE  
10000  
10.00  
C5V1P  
C6V8P  
C12P  
C18P  
Typ. V  
Max. V  
F
F
1000  
100  
10  
1.00  
C27P  
1.0  
C51P  
C200P  
0.5  
0.10  
0.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6  
VF - FORWARD VOLTAGE ( V )  
VR - REVERSE VOLTAGE ( V )  
FIG.3 - POWER DISSIPATION VS. AMBIENT TEMPERATURE  
FIG.4 - MAXIMUM PULSE POWER DISSIPATION VS.  
ZENER VOLTAGE  
3.0  
160  
140  
120  
100  
80  
tie point temperature  
2.5  
2.0  
1.5  
60  
ambient temperature  
1.0  
0.5  
0.0  
40  
20  
0
0
25  
50  
75  
100 125 150  
0
25 50 75 100 125 150 175 200  
Tamb - AMBIENT TEMPERATURE ( oC  
)
Vznom - ZENER VOLTAGE ( V )  
FIG.5 - Non- REPETITIVE PEAK REVERSE CURRENT  
PULSE DEFINITION  
I
R S M  
(%)  
100  
90  
t
=
=
10 µs  
1
t
2
1000 µ s  
50  
10  
t
t
1
t
2
MDS0310010B  
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