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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-T40 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP40,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.33 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CYM1610LHD-35C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1610LHD-35MB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1610LHD-45C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1610LHD-45MB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1610LHD-50C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1610LHD-50MB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
|
| CYM1611HV-12C | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 12ns, CMOS |
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| CYM1611HV-15C | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 15ns, CMOS |
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| CYM1611HV-15M | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 15ns, CMOS |
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| CYM1611HV-20C | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 20ns, CMOS |
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