是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-T40 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP40,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流: | 0.004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.33 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CYM1610LHD-50MB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module | |
CYM1611HV-12C | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 12ns, CMOS | |
CYM1611HV-15C | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 15ns, CMOS | |
CYM1611HV-15M | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 15ns, CMOS | |
CYM1611HV-20C | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 20ns, CMOS | |
CYM1611HV-20M | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module | |
CYM1611HV-25C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module | |
CYM1611HV-30C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module | |
CYM1611HV-30M | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 30ns, CMOS | |
CYM1611HV-35C | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 35ns, CMOS |