是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 45 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-T40 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 16KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP40,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 最大待机电流: | 0.004 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.33 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CYM1610LHD-50C | ETC |
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x16 SRAM Module |
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CYM1610LHD-50MB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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CYM1611HV-12C | CYPRESS |
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SRAM Module, 16KX16, 12ns, CMOS |
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CYM1611HV-15C | CYPRESS |
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SRAM Module, 16KX16, 15ns, CMOS |
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CYM1611HV-15M | CYPRESS |
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SRAM Module, 16KX16, 15ns, CMOS |
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CYM1611HV-20C | CYPRESS |
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SRAM Module, 16KX16, 20ns, CMOS |
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CYM1611HV-20M | ETC |
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x16 SRAM Module |
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CYM1611HV-25C | ETC |
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x16 SRAM Module |
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CYM1611HV-30C | ETC |
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x16 SRAM Module |
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CYM1611HV-30M | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 16KX16, 30ns, CMOS |
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