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CYM1610LHD-45MB PDF预览

CYM1610LHD-45MB

更新时间: 2024-02-02 14:09:13
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
7页 311K
描述
x16 SRAM Module

CYM1610LHD-45MB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-T40JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16KX16
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP40,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)最大待机电流:0.004 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.33 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

CYM1610LHD-45MB 数据手册

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