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CYM1481PF-120C PDF预览

CYM1481PF-120C

更新时间: 2024-01-10 03:37:44
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
6页 331K
描述
x8 SRAM Module

CYM1481PF-120C 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-T36JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:36
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装等效代码:SIP36H,.8
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.032 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.11 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

CYM1481PF-120C 数据手册

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