是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.300 INCH, CERDIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.19 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 33.3 MHz | 周期时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.0205 mm | 内存密度: | 36864 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 4KX9 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C433-20JC | CYPRESS |
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256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO | |
CY7C433-20JC | ROCHESTER |
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4KX9 OTHER FIFO, 20ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY7C433-20JCT | ROCHESTER |
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4KX9 OTHER FIFO, 20ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY7C433-20JI | CYPRESS |
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FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY7C433-20JIR | CYPRESS |
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FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY7C433-20JIT | CYPRESS |
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FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY7C433-20JXC | CYPRESS |
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256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO | |
CY7C433-20LMB | CYPRESS |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
CY7C433-20PC | CYPRESS |
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256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO | |
CY7C433-20PI | CYPRESS |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |