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CY7C276-35JCR

更新时间: 2024-01-16 18:43:28
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赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
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描述
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CY7C276-35JCR 数据手册

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CY7C276  
Table 1. Control Word for Architecture Configuration  
Control Word  
Programmed Level  
0=Default  
Control Option  
Bit  
Function  
OE Active LOW  
OE  
D
0
1=Programmed  
OE Active HIGH  
CS  
CS  
CS  
D
D
D
0=Default  
1=Programmed  
CS Active LOW  
0
1
2
12  
13  
14  
0
CS Active HIGH  
0
0=Default  
1=Programmed  
CS Active LOW  
1
CS Active HIGH  
1
0=Default  
1=Programmed  
CS Active LOW  
2
CS Active HIGH  
2
Control Word (4000H)  
D15  
X CS2 CS1 CS0 X X X X X X X X 1 X X OE  
D0  
Bit Map  
Programmer Address (Hex)  
RAM Data  
Table 2. Program Mode Table  
0000  
Data  
Mode  
V
V
V
V
PGM  
VFY  
D D  
PP  
PP  
PP  
PP  
0
15  
.
.
.
.
.
.
Program Inhibit  
Program Enable  
Program Verify  
V
V
V
High Z  
IHP  
IHP  
IHP  
V
Data  
Data  
ILP  
3FFF  
4000  
Data  
V
V
ILP  
IHP  
Control Word  
Table 3. Configuration Mode Table  
Mode  
V
V
V
V
PGM  
VFY  
A
D D  
0 15  
PP  
PP  
PP  
PP  
2
Program Inhibit  
V
V
V
V
V
V
High Z  
IHP  
IHP  
IHP  
PP  
PP  
PP  
Program Control Word  
Verify Control Word  
V
Control Word  
Control Word  
ILP  
IHP  
V
V
ILP  
6
5
4
3
2
1
44 43 42 41 40  
39  
D
D
12  
A
7
13  
11  
A
A
8
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
12  
D
10  
9
11  
CY7C276  
D
9
8
A
A
V
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
10  
D
9
V
SS  
SS  
V
CC  
V
SS  
D
7
A
8
D
6
5
4
A
7
D
D
A
6
A
5
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28  
C276–8  
Figure 1. Programming Pinout  
5

STM32F103C8T6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表

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