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Datasheet > 存储 > OTP ROM> CY7C263-45WMB
CY7C263-45WMB PDF预览

CY7C263-45WMB

更新时间： 2024-02-11 15:03:27
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 开关电源开关可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
14页 250K
描述
8K x 8 Power-Switched and Reprogrammable PROM

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CY7C263-45WMB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.300 INCH, WINDOWED, CERDIP-24
针数：24Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.14最长访问时间：45 ns
其他特性：POWER SWITCHED PROMI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-GDIP-T24JESD-609代码：e0
长度：31.877 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：24
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：WDIP封装等效代码：DIP24,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE, WINDOW
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883座面最大高度：5.08 mm
最大待机电流：0.03 A子类别：EPROMs
最大压摆率：0.12 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

CY7C263-45WMB 数据手册

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CY7C261  
CY7C263/CY7C264  
Electrical Characteristics Over the Operating Range[3,4]  
7C261-20, 25  
7C263-20, 25  
7C264-20, 25  
7C261-35, 45, 55  
7C263-35, 45, 55  
7C264-35, 45, 55  
Parameter  
VOH  
Description  
Output HIGH Voltage  
Output HIGH Voltage  
Output LOW Voltage  
Test Conditions  
VCC = Min., IOH = –2.0 mA  
VCC = Min., IOH = –4.0 mA  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
V
2.4  
VOH  
2.4  
V
VOL  
VCC = Min., IOL = 8 mA  
(6 mA Mil)  
0.4  
V
VOL  
VIH  
VIL  
Output LOW Voltage  
Input HIGH Level  
VCC = Min., IOL = 16 mA  
GND < VIN < VCC  
0.4  
V
V
2.0  
2.0  
Input LOW Level  
0.8  
0.8  
V
IIX  
Input Current  
–10  
+10  
–10  
+10  
µA  
VCD  
IOZ  
Input Diode Clamp Voltage  
Output Leakage Current  
Note 4  
Note 4  
GND < VOUT < VCC  
Output Disabled  
Com’l  
Mil  
–10  
–40  
–20  
+10  
+40  
–90  
120  
140  
40  
–10  
–40  
–20  
+10  
+40  
–90  
100  
120  
30  
µA  
µA  
IOS  
ICC  
Output Short Circuit Current[5]  
Power Supply Current  
VCC = Max., VOUT = GND  
VCC = Max., f = Max. Com’l  
OUT = 0 mA  
mA  
mA  
I
Mil  
ISB  
Standby Supply Current (7C261) VCC = Max.,  
CS > VIH  
Com’l  
Mil  
mA  
40  
30  
VPP  
IPP  
Programming Supply Voltage  
Programming Supply Current  
Input HIGH Programming Voltage  
Input LOW Programming Voltage  
12  
13  
12  
13  
V
mA  
V
50  
50  
VIHP  
VILP  
4.75  
4.75  
0.4  
0.4  
V
Capacitance[4]  
Parameter  
Description  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Test Conditions  
TA = 25°C, f = 1 MHz,  
VCC = 5.0V  
Max.  
Unit  
CIN  
10  
10  
pF  
pF  
COUT  
Notes:  
3. See the last page of this specification for Group A subgroup testing information.  
4. See the “Introduction to CMOS PROMs” section of the Cypress Data Book for general information on testing.  
5. For test purposes, not more than one output at a time should be shorted. Short circuit test duration should not exceed 30 seconds.]  
Document #: 38-04010 Rev. *B  
Page 3 of 14  
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CY7C263-45WMB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C261-45WC CYPRESS

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 		8K x 8 Power-Switched and Reprogrammable PROM
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CY7C263-55DC CYPRESS OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, CERDIP-24

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