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CY7C186-25PC PDF预览

CY7C186-25PC

更新时间： 2024-11-14 00:01:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
9页 160K
描述
8Kx8 Static RAM

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CY7C186-25PC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.82最长访问时间：25 ns
其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：37.211 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.015 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

CY7C186-25PC 数据手册

 浏览型号CY7C186-25PC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C186-25PC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C186-25PC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C186-25PC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C186-25PC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C186-25PC的Datasheet PDF文件第7页 
86  
CY7C186  
8Kx8 Static RAM  
provided by an active LOW chip enable (CE1), an active HIGH  
chip enable (CE2), and active LOW output enable (OE) and  
three-state drivers. The device has an automatic power-down  
feature (CE1), reducing the power consumption by over 80%  
when deselected. The CY7C186 is in a 600-mil-wide PDIP  
package and a 32-pin TSOP (std. pinout).  
Features  
• High speed  
— 20 ns  
• Low active power  
An active LOW write enable signal (WE) controls the writ-  
ing/reading operation of the memory. When CE1 and WE in-  
puts are both LOW and CE2 is HIGH, data on the eight data  
input/output pins (I/O0 through I/O7) is written into the memory  
location addressed by the address present on the address  
pins (A0 through A12). Reading the device is accomplished by  
selecting the device and enabling the outputs, CE1 and OE  
active LOW, CE2 active HIGH, while WE remains inactive or  
HIGH. Under these conditions, the contents of the location ad-  
dressed by the information on address pins are present on the  
eight data input/output pins.  
— 605 mW  
• Low standby power  
— 110 mW  
• CMOS for optimum speed/power  
• Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE  
features  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
The input/output pins remain in a high-impedance state unless  
the chip is selected, outputs are enabled, and write enable  
(WE) is HIGH. A die coat is used to insure alpha immunity.  
Functional Description  
The CY7C186 is a high-performance CMOS static RAM orga-  
nized as 8192 words by 8 bits. Easy memory expansion is  
Pin Configuration  
LogicBlock Diagram  
DIP  
Top View  
V
CC  
WE  
NC  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A
4
2
A5  
A6  
A7  
3
CE2  
I/O  
A3  
4
0
A2  
5
INPUT BUFFER  
A
A1  
8
6
I/O  
1
A9  
OE  
7
A0  
A
10  
8
A
CE1  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
A
11  
9
I/O  
1
2
A
12  
I/O0  
I/O  
10  
11  
12  
13  
14  
A
2
A
I/O  
3
3
A
256 x 32 x 8  
ARRAY  
I/O12  
4
A
GND  
5
I/O  
A
4
6
A
7
I/O  
A
5
8
I/O  
6
POWER  
DOWN  
CE  
CE  
1
2
I/O  
COLUMN DECODER  
7
WE  
OE  
Selection Guide[1]  
7C186-20  
20  
7C186-25  
25  
7C186-35  
35  
Maximum Access Time (ns)  
Maximum Operating Current (mA)  
110  
100  
100  
Maximum Standby Current (mA)  
20/15  
20/15  
20/15  
Notes:  
1. For military specifications, see the CY7C186A datasheet.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05280 Rev. **  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Revised March 22, 2002  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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