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CY7C182-20DC

更新时间: 2024-09-30 15:42:03
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 342K
描述
Cache SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

CY7C182-20DC 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.71Is Samacsys:N
最长访问时间:20 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-GDIP-T28长度:37.0205 mm
内存密度:73728 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX9封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

CY7C182-20DC 数据手册

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