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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP28,.3 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.77 | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 37.0205 mm | 内存密度： | 73728 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C182-35DMB | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
|
| CY7C182-35LMB | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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| CY7C182-35PC | CYPRESS |
获取价格 |
8Kx9 Static RAM |
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| CY7C182-35PC | ROCHESTER |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28 |
|
| CY7C182-35VC | CYPRESS |
获取价格 |
8Kx9 Static RAM |
|
| CY7C182-35VC | ROCHESTER |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| CY7C182-35VCR | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| CY7C182-35VCT | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| CY7C182-45DC | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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| CY7C182-45DMB | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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