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CY7C182-55VCT

更新时间: 2024-09-30 14:33:11
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 214K
描述
Cache SRAM, 8KX9, 55ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28

CY7C182-55VCT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.71
最长访问时间:55 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-PDSO-J28长度:17.907 mm
内存密度:73728 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX9
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.556 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

CY7C182-55VCT 数据手册

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