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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | LCC | 包装说明： | PLASTIC, LCC-52 |
| 针数： | 52 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.1262 mm | 内存密度： | 131072 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 52 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.17 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.17 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 19.1262 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C184-35JCT | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| CY7C184-35LMB | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| CY7C184-45DC | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, CDIP48, |
|
| CY7C184-45JC | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| CY7C184-45JCR | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| CY7C184-45JCT | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| CY7C184-45LMB | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, CQCC48, CERAMIC, LCC-48 |
|
| CY7C185 | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM |
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| CY7C185_01 | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM |
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| CY7C185_06 | CYPRESS |
获取价格 |
8K x 8 Static RAM |
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