是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 2.31 | 最长访问时间: | 0.45 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 17 mm |
内存密度: | 150994944 bit | 内存集成电路类型: | DDR SRAM |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX36 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 15 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1670KV18-550BZXC | CYPRESS |
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144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
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CY7C1670KV18-550BZXC | INFINEON |
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DDR-II+ CIO |
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CY7C167-25DC | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERDIP-20 |
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CY7C167-25LC | ETC |
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x1 SRAM |
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CY7C167-25PC | ETC |
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x1 SRAM |
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CY7C167-25VC | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-20 |
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CY7C167-25VCR | CYPRESS |
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Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-20 |
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CY7C167-25VCT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-20 |
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CY7C167-35DC | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 16KX1, 30ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERDIP-20 |
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CY7C167-35LC | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 30ns, CMOS, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
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