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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LBGA, |
| 针数： | 165 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 15 mm | 内存密度： | 75497472 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 165 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8MX9 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 13 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1528KV18-300BZI | CYPRESS |
获取价格 |
DDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
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| CY7C1528KV18-333BZI | CYPRESS |
获取价格 |
DDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
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| CY7C1528KV18-333BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
DDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA |
|
| CY7C1528KV18-333BZXI | CYPRESS |
获取价格 |
DDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA |
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| CY7C1528V18 | CYPRESS |
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RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
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| CY7C1528V18-167BZC | CYPRESS |
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72-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C1528V18-167BZI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C1528V18-167BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C1528V18-167BZXI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C1528V18-200BZC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
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